[发明专利]玻璃基板硬化处理方法在审
申请号: | 201610616552.4 | 申请日: | 2016-07-29 |
公开(公告)号: | CN106082616A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 满小花;徐旻生;张永胜;庄炳河;黄高峰 | 申请(专利权)人: | 爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | C03B32/00 | 分类号: | C03B32/00;C03C23/00 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 肖伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种玻璃基板硬化处理方法,包括以下步骤:在真空环境中加热处理玻璃基板;由离子源设备发射高能量等离子体轰击加热处理后的玻璃基板,促使玻璃基板表层结构重组形成硬化层。在进行加热处理之前,还可先对所述玻璃基板进行清洗。所述加热处理玻璃基板是在真空环境中进行。本发明通过采用高能量等离子体轰击加热处理后的玻璃基板,能很好地促使玻璃基板表层结构重组形成硬化层,可以使玻璃基板的莫氏硬度从5~6提高到7以上;而且,在波长550nm处透过率仍可达91%以上,能很好地满足硬度和透过率的双重要求。本发明方法可广泛应用于手机、可穿戴产品或智能车载等电子产品信息显示终端触摸屏的生产。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 硬化 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种玻璃基板硬化处理方法,其特征在于,包括:加热处理玻璃基板;由离子源设备发射高能量等离子体轰击加热处理后的玻璃基板,促使玻璃基板表层结构重组形成硬化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司,未经爱发科豪威光电薄膜科技(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610616552.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:煤矸石页岩烧结砖生产系统
- 下一篇:一种AgMeO复合粉体的优化包覆工艺