[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201610617010.9 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409908A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 田矢真敏 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯日本合同会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 秦琳,刘春元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。在不增加杂质的注入工序、光掩模的情况下抑制扭折电流的产生。在半导体基板的主面具有被隔离区域划定的活性区域，在所述活性区域中具有场效应晶体管（Q1a～Q1c、Q2a～Q2e、Q3a～Q3d），在该活性区域中形成的所述场效应晶体管的栅极长度方向的一边的长度比该栅极长度长，并且，在所述活性区域（2）和所述隔离区域（3）的边界处栅极电极图案横跨的边界部（7）与构成所述场效应晶体管的对的源极漏极区域的至少一方非接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，在半导体基板的主面具有被隔离区域划定的活性区域并且在所述活性区域中具有场效应晶体管，其中，在所述活性区域和所述隔离区域的边界处栅极电极图案横跨的边界部至少在栅极宽度方向上夹着在该活性区域中形成的所述场效应晶体管的源极漏极区域和沟道区域并且具有使所述源极漏极区域和在所述栅极宽度方向上夹着它的所述边界部之间隔开的隔开部。
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