[发明专利]一种纳米碳管阵列/石墨复合导热膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610617315.X 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106219532B 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 葛翔;朱秀娟;李志文;林剑峰 申请(专利权)人: 碳元科技股份有限公司
主分类号: C01B32/205 分类号: C01B32/205;B82Y40/00;C01B32/16
代理公司: 常州市权航专利代理有限公司 32280 代理人: 张丽萍
地址: 213145 江苏省常州市武*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种纳米碳管阵列/石墨复合导热膜及其制备方法,包括如下步骤:(1)在高分子薄膜材料表面担载催化剂层或催化剂前驱体层;(2)将此高分子薄膜材料置于化学气相沉积炉内,经还原处理后进行高分子薄膜碳化、纳米碳管阵列的沉积,得到纳米碳管阵列/炭复合薄膜材料;(3)将复合薄膜材料进一步碳化处理;(4)将复合薄膜材料进行石墨化处理,得到纳米碳管阵列/石墨复合导热膜。本发明通过表面沉积具有高度定向性纳米碳管阵列这一特殊方法,显著增加了导热石墨膜的有效辐射面积,减小导热膜与空气间的界面热阻,从而显著提高单位面积导热膜与空气等周边环境的换热量,达到将热量快速从导热膜扩散到空气等周边环境中的效果。
搜索关键词: 一种 纳米 阵列 石墨 复合 导热 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一步法制备纳米碳管阵列/石墨复合导热膜的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)在高分子薄膜材料表面担载催化剂层或催化剂前驱体层;(2)将步骤(1)的高分子薄膜材料置于化学气相沉积设备内,经还原处理后进行高分子薄膜碳化、纳米碳管阵列的沉积,得到纳米碳管阵列/炭复合薄膜材料;(3)将纳米碳管阵列/炭复合薄膜材料进行碳化处理;(4)将步骤(3)的材料进行石墨化处理,得到纳米碳管阵列/石墨复合导热膜;步骤(2)中还原处理条件为:温度为300‑600℃,还原气氛为Ar/H2、He/H2或N2/H2,还原时间为0.5‑20h;步骤(2)中高分子薄膜碳化、纳米碳管阵列的沉积的条件为:温度为400‑1200℃,气氛为 CH4、C2H4、C2H6、C3H8、C6H6、C2H5OH或CO气体中的一种或几种与还原气氛的混合气体,沉积时间为0.5‑20h;步骤(3)所述碳化处理条件为:温度为1800‑2400℃;步骤(4)所述石墨化处理条件为:温度为2400‑3300℃。
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