[发明专利]针对形貌的改进结构在审
| 申请号： | 201610617619.6 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106444270A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | S·施密特;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;M·塞德-施密特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/44;H01L21/027;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在不同实施例中提供了掩模版。掩模版可以包括特征部。特征部可以包括基部结构和阶梯结构。阶梯结构包括中央区域和边缘区域。在顶视图中，中央区域包括比边缘区域更大的宽度。阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 形貌 改进 结构 | ||
【主权项】：
一种掩模版，包括：特征部，其中所述特征部包括：基部结构；以及阶梯结构，所述阶梯结构包括中央区域和边缘区域，在顶视图中，所述中央区域包括比所述边缘区域更大的宽度，其中所述阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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