[发明专利]一种栅极电极的加工工艺在审
申请号: | 201610617972.4 | 申请日: | 2016-08-01 |
公开(公告)号: | CN106025068A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 周淑清 | 申请(专利权)人: | 安徽贝莱电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40;H01L21/02 |
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地址: | 230000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种栅极电极的加工工艺,所述烘干后将方形ITO玻璃片子放到紫外臭氧清洗机中进行清洗,可以使表面变成亲水性,促进下一步旋涂的进行,所述旋涂光刻胶前进行绝缘层的制备,可以对方形ITO玻璃片子进行表面修饰以提高成膜质量,所述PVP溶液的组成以及配比,可以进一步提高成膜质量。采用此种加工工艺加工出来的栅极电极具有电流大和载流子迁移率高的优点,市场潜力巨大,前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 一种 栅极 电极 加工 工艺 | ||
【主权项】:
一种栅极电极的加工工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)切割首先将带 ITO导电玻璃用玻璃切割机进行切割,将玻璃切割成5cm×5cm ‑7cm×7cm的方形ITO玻璃片子;(2)清洗接着将方形ITO玻璃片子首先用NaOH溶液清洗,接着将方形ITO玻璃片子放入玻璃器皿中超声清洗25‑35min,最后用清水进行清洗,所述清洗的次数为2‑4次;(3)烘干清洗完毕后将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干,所述烘干的温度为105‑115℃,所述烘干的时间为1‑2h;(4)旋涂光刻胶接着将光刻胶以9 s600 rad/min ‑ 40 s2000 rad/min 的速度在烘干后方形ITO玻璃片子上进行旋涂;(5)再烘干接着将方形ITO玻璃片子置于烘箱中进行烘干,所述烘干的温度为105‑115℃,所述烘干的时间为20‑40min;(6)曝光显影在曝光之前先用已做好的菲林板,挡住方形ITO玻璃片子上不需要曝光的地方,接着将显影液通过喷头喷洒上去;(7)蚀刻然后把曝光结束的方形ITO玻璃片子放入王水中,对 ITO 进行蚀刻,接着用丙酮洗去光刻胶,然后用乙醇和水把 ITO 表面处理干净,然后吹干,形成栅极电极。
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