[发明专利]一种雷达电子控制元件用晶元的加工方法

摘要

本发明公开了一种雷达电子控制元件用晶元的加工方法，步骤（1）所述的氮化硅膜沉积方法，该方法采用化学沉积技术，快速简便，所述微波功率设定为750W，该功率能够保证氮化硅形成的膜厚度较为均匀合适，所述硅源气体与氮化源气体的流量比例为1:5，该比例下能够在保证硅源完全反应后，还能利用剩余的氮气形成无氧的环境，以保护氮化硅膜，所述步骤（7）：所述电子束光刻胶的去除方法，该方法能够彻底去除晶元表面多余的光刻胶，所述丙酮溶液和乙醇溶液分别为分析纯级的丙酮溶液和无水乙醇溶液，该等级的有机溶剂，纯度高，能够防止晶元表面的污染。

主权项

一种雷达电子控制元件用晶元的加工方法，其特征在于，其步骤包括：（1）将晶元采用化学汽相淀积在晶元表面沉积修饰一层氮化硅膜，形成薄膜晶圆；（2）使用金刚石切片机将薄膜晶圆切成宽为2.0～2.5mm矩形条样品，并将其清洗干净；（3）在200‑250℃的温度下，对矩形条样品加热3‑5min后，用甩胶机在矩形条样品表面旋涂0.9‑1.2μm厚的电子束光刻胶；（4）在120℃的温度下，对涂胶后的矩形条样品加热1min后，用电子束光刻机透过掩膜版对矩形条样品进行光刻；（5）在110℃的温度下，对光刻后的矩形条样品加热1min并显影后，用超纯水冲洗2min，并在N₂氛围中烘干后再加热1min；（6）用反应离子刻蚀工艺对显影后的矩形条样品进行刻蚀，设置反应气体Cl₂的流量为15～35ccm，压强为10～15mT，功率为100～200W，沿着显影后的图形在矩形条样品上刻蚀掉800～1500nm深的厚度；（7）去除矩形条样品表面的电子束光刻胶，并将晶元清洗干净。