[发明专利]一种钼基片镀厚钌的方法有效
| 申请号： | 201610619104.X | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106148896B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 杨素贤 | 申请（专利权）人： | 泉州市宕存工业设计有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/34;C25D3/50;C25D5/38;C25D21/06 |
| 代理公司： | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人： | 张大保 |
| 地址： | 362100 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼基片镀厚钌的方法，用于钼质量分数大于99.9%的半导体用钼基片镀厚钌，包括依次进行的PVD镀钌工序和电镀钌工序；所述PVD镀钌工序具体是指采用PVD设备将钌钯中金属钌溅射至钼基片表面形成预镀钌层，完成PVD镀钌工序后的钼基片放入200℃烤箱中烘烤0.5‑4h。本发明所述的镀厚钌的方法使IGBT用钼基片表面可镀厚钌，镀钌层结合力好、密度高，镀层呈金属钌的灰白色金属光泽，且镀层表面无水渍、无黑点、无裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钼基片镀厚钌 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钼基片镀厚钌的方法，用于钼质量分数大于99.9％的半导体用钼基片镀厚钌，其特征在于：包括依次进行的PVD镀钌工序和电镀钌工序；所述PVD镀钌工序具体是指采用PVD设备将钌钯中金属钌溅射至钼基片表面形成预镀钌层，完成PVD镀钌工序后的钼基片放入200℃烤箱中烘烤0.5‑4h；所述电镀钌工序具体是指将钼基片浸没在电镀钌溶液中电镀2‑8min；所述电镀钌溶液中钌离子的含量始终保持在1.5‑2.0g/L，用稀盐酸或稀硫酸调节电镀钌溶液的pH值至4.0‑4.5；所述电镀钌工序中电镀钌溶液的工作温度为40‑75℃。
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