[发明专利]一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺在审
| 申请号： | 201610619120.9 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106191942A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杨素贤 | 申请（专利权）人： | 成都立威讯科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/50 | 分类号： | C25D3/50;C25D5/34;C25D5/54;C25D7/12;C25D3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺，一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺，用于钼质量分数大于99.9%的半导体基片电镀铑，包括半导体基片预处理和电镀铑的步骤，在半导体基片预处理和电镀铑步骤之间还依次设置有预镀镍、镀镍清洗、吹干的过程：所述预镀镍是指：将预处理后的半导体基片在20‑40℃去离子水中浸泡1‑3分钟，然后放入预镀镍溶液中进行以电流密度10‑30A/dm2进行2‑10min的电镀镍；所述预镀镍溶液主要由以下成分按重量配比为，氯化镍40‑80g/L，磷酸二氢镍50‑200g/L，缓蚀剂2‑10g/L，并通过磷酸或盐酸调节pH值至4.0‑5.0。本发明的镀铑层与半导体基片结合良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 基片预镀镍 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺，用于钼质量分数大于99.9％的半导体基片电镀铑，其特征在于：包括半导体基片预处理和电镀铑的步骤，在半导体基片预处理和电镀铑步骤之间还依次设置有预镀镍、镀镍清洗、吹干的过程；所述预镀镍是指：将预处理后的半导体基片在20‑40℃去离子水中浸泡1‑3分钟，然后放入预镀镍溶液中进行以电流密度10‑30A/dm2进行2‑10min的电镀镍；所述预镀镍溶液主要由以下成分按重量配比为，氯化镍40‑80g/L，磷酸二氢镍50‑200g/L，缓蚀剂2‑10g/L，并通过磷酸或盐酸调节pH值至4.0‑5.0；所述镀镍清洗是指：半导体基片进过预镀镍后，通过三道去离子水的漂洗；所述吹干是指：半导体基片经过镀镍清洗后，用热风快速吹干并静置待镀镍层干燥。
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