[发明专利]感测晶片封装体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610619651.8 申请日: 2016-08-01
公开(公告)号: CN106449672A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 何彦仕;刘沧宇;林佳升;郑家明 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园 市中*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种感测晶片封装体及其制造方法,该封装体包括:第一基板,其上表面形成有包括第一、二导电垫的第一介电层;第二基板,其下表面形成有包括第三导电垫的第二介电层,第二基板通过第二介电层与第一介电层接合;第一贯通孔,贯穿第二基板、第二介电层及部分第一介电层,并裸露第一导电垫的上表面;第二贯通孔,贯穿第二基板及部分第二介电层,并裸露第三导电垫的上表面;绝缘层,位于第二基板的上表面及贯通孔的侧壁,且贯通孔底部的绝缘层具有孔洞,以裸露第一、三导电垫的上表面;重布线层,形成于第一绝缘层上,并沟填于贯通孔内,且经由孔洞分别与第一、三导电垫电性连接;及钝化保护层,形成于第二基板的上表面,并覆盖重布线层和绝缘层。
搜索关键词: 晶片 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种感测晶片封装体,其特征在于,包括:第一基板,具有第一上表面与第一下表面,该第一上表面上形成有第一中间介电层,且该第一中间介电层内包括第一导电垫及第二导电垫;第二基板,具有第二上表面与第二下表面,该第二下表面形成有第二中间介电层,且该第二中间介电层内包括第三导电垫,其中该第二基板通过该第二中间介电层与该第一基板的该第一中间介电层接合;第一贯通孔,贯穿该第二基板、该第二中间介电层及部分该第一中间介电层,并裸露出该第一导电垫的上表面;第二贯通孔,贯穿该第二基板及部分该第二中间介电层,并裸露出该第三导电垫的上表面;第一绝缘层,形成于该第二基板的该第二上表面及该第一贯通孔和该第二贯通孔的侧壁,且位在该第一贯通孔与该第二贯通孔底部的该第一绝缘层分别具有第一孔洞与第二孔洞,该第一孔洞与该第二孔洞分别裸露出该第一导电垫与该第三导电垫的上表面;第一重布线层,形成于该第一绝缘层上,并沟填于该第一贯通孔和该第二贯通孔内,且经由该第一孔洞及该第二孔洞分别与该第一导电垫和该第三导电垫电性连接;以及第一钝化保护层,形成于该第二基板的该第二上表面,并覆盖该第一重布线层和该第一绝缘层。
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