[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610620080.X | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106129201B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 代露;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，各层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，通过成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，且各层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，多层N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿外延片的层叠方向连续变化，有利于电流的扩展，降低了外延片的电阻，进而降低外延片的正向电压，减少LED的能耗和发热量，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型层、有源层和P型层，其特征在于，所述成核层包括层叠的多层N型AlxGa1‑xN层，其中，0≤X≤1，同层所述N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度不变，不同的所述N型AlxGa1‑xN层的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向连续变化。
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