[发明专利]稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610620373.8 | 申请日： | 2016-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206942B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 邹华;胡益丰;朱小芹;张建豪;郑龙;吴世臣;袁丽;孙月梅;吴卫华;薛建忠;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 | 代理人： | 肖兴坤 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。本发明具有相变速度快、热稳定性好、数据保持力好、低功耗的特点，可以应用于相变存储器和相变显示器等。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 er 掺杂 改性 gesb 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜，其特征在于，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Erx(GeiSbj)y，x、y都为原子百分比，其中0＜x≤0.10，0.90＜y≤1，x+y＝1.00，i＝10，j＝90。
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