[发明专利]一种硅片的水清洗方法和系统

摘要

本发明涉及一种硅片的水清洗方法和系统，具体方法通过多次使用去离子水、HF溶液、SC‑1溶液、SC‑2溶液能够去除硅片上的各种杂质。

主权项

一种硅片的水清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：预处理，在温度为120℃的H2SO4:H2O2＝1:4SPM溶液中清洗5min，用以去除硅片表面的有机污染物和金属污染物；S2：第一次去离子，用去离子水冲洗步骤S1处理后的硅片，去除SPM残留溶液；S3：第一次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗30秒，去除硅片表面的氧化层；S4：第二次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S3中HF残留溶液。S5：SC‑1溶液清洗，用NH4OH：H2O2：H2O＝1:1:5的SC‑1溶液中清洗，将有机污染物和金属污染物去除；S6：第三次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S5中SC‑1残留溶液；S7：第二次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层；S8：第四次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S7中HF残留溶液；S9：SC‑2溶液清洗，在HCl：H2O2：H2O＝1:1:6的SC‑2溶液中清洗，去除碱金属和过渡元素的污染物；S10：第五次去离子，用去离子水冲洗，去除步骤S9中SC‑2残留溶液；S11：第三次HF溶液清洗，在HF：H2O＝1:50的HF溶液中清洗1min，去除硅片表面的氧化层。S12，吹干硅片表面。