[发明专利]一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路

摘要

本发明提供一种光探测器及其组件和光电前端放大器电路，属于四象限光电探测应用技术领域，所述光电前端放大器电路包括低噪声前端跨阻放大器、中间级电压放大器与输出缓冲放大器三级结构，三级电路通过直流耦合构成宽带放大器，本发明的有益效果在于电路结构与现有探测器工艺兼容，可以单片集成减小四象光电限探测器体积、功耗、成本，提升可靠性。

主权项

1.一种光电前端放大器电路，其特征在于，包括：第一级放大电路，其包括以下电路结构：跨阻放大器，至少包括NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q1的基极和所述NPN型三极管Q2发射极分别为所述跨阻放大器的输入端和输出端，所述NPN型三极管Q1集电极连接于所述NPN型三极管Q2的基极并通过电阻R1连接于第一电源，所述NPN型三极管Q1发射极接地并通过电阻R2连接于所述NPN型三极管Q2的发射极，所述NPN型三极管Q2的集电极连接于所述第一电源；反馈电路，连接于所述跨阻放大器的输入端和输出端之间，其包括二极管D1、电阻R3、电阻R4、以及NMOSFET晶体管M1，所述二极管D1及电阻R3并联于所述跨阻放大器的输入端和输出端之间，所述二极管D1的正极连接于所述跨阻放大器的输出端，所述二极管D1的负极连接于所述跨阻放大器的输入端；所述电阻R4和NMOSFET晶体管M1相串联并连接在所述跨阻放大器的输入端和输出端之间，NMOSFET晶体管M1用作开关，M1的栅极作为使能端；第二级放大电路，其包括以下电路结构：共集共基电压放大器，用于对所述跨阻放大器输出电压信号进行宽带放大，所述共集共基电压放大器的静态工作点与所述第一级放大电路中的所述跨阻放大器直流耦合；所述共集共基电压放大器的电路结构包括NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4，所述NPN型三极管Q3的基极和NPN型三极管Q4的集电极分别为所述共集共基电压放大器的输入端和输出端，所述NPN型三极管Q3的集电极连接于所述第一电源，所述NPN型三极管Q3的发射极通过电阻R5连接于所述NPN型三极管Q4的发射极，所述NPN型三极管Q4的基极接地，所述NPN型三极管Q4的集电极还通过电阻R6连接于所述第一电源，其中，所述共集共基电压放大器的电压增益由R6/R5比值决定。