[发明专利]一种高性能MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法，所述元胞采用方形元胞，其特征在于：包括N型衬底、N型埋层、P型外延层、N型穿通区、n型漂移区、P型体沟道区、N型重掺源区、介质层、多晶栅极区、金属前介质层、源端金属、P型重掺杂区、漏端金属。所述制备流程为：n+硅片制备，埋层注入推结，生长n‑外延，场氧生长，穿通区扩散，栅氧化层生长，多晶刻蚀，N漂移区注入推结，p型体沟道区注入推结，N+重掺杂源区注入退火，接触孔刻蚀，p+重掺杂区注入退火，金属淀积，刻蚀，合金、钝化、退火。

主权项

一种高性能MOSFET，其特征在于：包括N型衬底(100)、N型埋层(101)、P型外延层(102)、N型穿通区(103)、n型漂移区(104)、P型体沟道区(105)、N型重掺源区(106)、介质层(107)、多晶栅极区(108)、金属前介质层(109)、源端金属(110)、P型重掺杂区(111)、漏端金属(112)；所述N型衬底(100)上覆盖有N型埋层(101)和P型外延层(102)；所述N型埋层(101)位于P型外延层(102)的两端；所述N型穿通区(103)覆盖于N型埋层(101)的部分表面；所述N型穿通区(103)与P型外延层(102)相接触；所述P型体沟道区(105)覆盖于P型外延层(102)的部分表面；所述P型体沟道区(105)位于P型外延层(102)上表面的中间位置；所述n型漂移区(104)覆盖于P型外延层(102)的部分表面；所述n型漂移区(104)位于P型体沟道区(105)与N型穿通区(103)之间的位置；所述P型体沟道区(105)内部设置有N型重掺源区(106)和P型重掺杂区(111)；所述N型重掺源区(106)的上表面与P型体沟道区(105)的上表面共面；所述P型重掺杂区(111)的部分表面上覆盖有源端金属(110)；所述源端金属(110)位于N型重掺源区(106)之间；所述N型穿通区(103)、n型漂移区(104)、P型体沟道区(105)和N型重掺源区(106)的表面上覆盖有介质层(107)；所述介质层(107)与源端金属(110)相接触；所述多晶栅极区(108)覆盖于介质层(107)的部分表面；所述多晶栅极区(108)在介质层(107)下表面的投影位置与所述P型体沟道区(105)、N型重掺源区(106)之间的位置相对应；所述金属前介质层(109)覆盖于介质层(107)和多晶栅极区(108)的上方；所述源端金属(110)覆盖于金属前介质层(109)和P型重掺杂区(111)的部分表面；所述N型衬底(100)下表面覆盖有漏端金属(112)。