[发明专利]半导体存储器件及其位线读出放大器操作方法有效
| 申请号： | 201610621144.8 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409324B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 柳成宪;崔钟贤;孙东佑;吴起硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 读出 放大器 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线；以及多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线，其中半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
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