[发明专利]在激光处理系统中的周围层气流分布

摘要

本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。

主权项

1.一种用于退火半导体基板的设备的可移除式遮蔽构件，所述可移除式遮蔽构件包含：实质平坦构件，所述实质平坦构件包含第一平板和第二平板，所述实质平坦构件具有上表面和下表面以及中心开口，所述中心开口由壁限定，所述壁具有：第一端，所述第一端位于所述上表面；第二端，所述第二端位于所述下表面，其中所述第一端和所述第二端限定一轴，所述轴实质垂直于所述实质平坦构件；气体入口门，所述气体入口门介于所述第一端与所述第二端之间；和气体出口门，所述气体出口门介于所述第一端与所述第二端之间，其中所述气体入口门与所述气体出口门沿所述轴间隔开；以及窗，所述窗覆盖所述中心开口并耦接所述壁的所述第一端。