[发明专利]应变纳米线CMOS器件和形成方法

摘要

本发明提供了晶体管结构和晶体管结构的形成方法。晶体管结构包括第一外延材料和第二外延材料的交替层。在一些实施例中，对于一个n‑型或p‑型晶体管，可以去除第一外延材料或第二外延材料。可以去除第一外延材料和第二外延材料的最下的层，并且可以使第一外延材料或第二外延材料的侧壁缩进或凹进。本发明的实施例还涉及应变纳米线CMOS器件和形成方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：/n形成第一鳍和第二鳍，每个所述第一鳍和每个所述第二鳍均包括交替外延结构，所述交替外延结构具有多个外延层，所述多个外延层包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层包括第一半导体材料，所述第二外延层包括第二半导体材料，所述交替外延结构的层在一个所述第一外延层和一个所述第二外延层之间交替；/n在所述第一鳍和所述第二鳍上方形成第一介电层；/n暴露所述第二鳍的沟道区域；/n去除所述第二鳍的所述沟道区域中的至少部分所述第一外延层以沿着所述第一外延层的侧壁形成凹进；/n在所述第一鳍上方形成第一栅极堆叠件，所述第一栅极堆叠件沿着所述第一鳍的所述第一外延层的侧壁和所述第二外延层的侧壁延伸；以及/n在所述第二鳍上方形成第二栅极堆叠件，所述第二栅极堆叠件沿着所述第二外延层的侧壁延伸。/n