[发明专利]一种新型磁性绝缘硅复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201610621666.8 | 申请日: | 2016-08-01 |
公开(公告)号: | CN106129070A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 黄志强 | 申请(专利权)人: | 常州晶麒新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/762 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种新型磁性绝缘硅复合材料及其制备方法,所述新型磁性绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元磁性复合材料层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料由磁性元素掺入到熔凝材料复合而成。本发明方案能够保持有完整的单晶硅晶格结构,具有优良的电、磁性能,所述新型磁性绝缘硅复合材料的制备方法可调节中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布,且制备过程不需采用复杂昂贵设备,整体制备工艺简单、易行、低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 磁性 绝缘 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型磁性绝缘硅复合材料,包含中间绝缘层;所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片;其特征在于:所述中间绝缘层,包含二氧化硅基多元磁性复合材料层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层;所述二氧化硅基多元磁性复合材料层由二氧化硅基多元磁性复合材料制成,所述二氧化硅基多元磁性复合材料由磁性材料和熔凝材料复合而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州晶麒新材料科技有限公司,未经常州晶麒新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610621666.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种提高电镀均匀性的陪镀边条
- 下一篇:高密封旋转补偿器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的