[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201610621817.X | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106057903A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET，包括：硅衬底上部的沟槽，沟槽由氧化膜分为两部分，沟槽的上部为栅多晶硅，沟槽的下部为源多晶硅；沟槽之间为体区，体区的上方是源区，硅衬底的上方具有层间介质层，层间介质层上方是金属层，接触孔将金属层和体区连通；栅多晶硅和氧化膜之间还具有氮化硅层。本发明还公开了所述屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法。本发明的器件结构栅极介质膜和多晶硅间介质膜同步生长，采用ONO结构；在源区光刻前增加一步表面氮化硅刻蚀工艺，能优化多晶硅层间介质膜的质量，改善了栅源耐压分布。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种屏蔽栅沟槽型MOSFET，包括：硅衬底上部的沟槽，沟槽由氧化膜分为两部分，沟槽的上部为栅多晶硅，沟槽的下部为源多晶硅；沟槽之间为体区，体区的上方是源区，硅衬底的上方具有层间介质层，层间介质层上方是金属层，接触孔将金属层和体区连通；其特征在于：栅多晶硅和氧化膜之间还具有氮化硅层。
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