[发明专利]一种正面电极侧绕背接触P型晶硅太阳电池的制造方法

摘要

本发明公开了一种正面电极侧绕背接触P型晶硅太阳电池的制造方法。该方法包括对硅片进行化学清洗制绒、扩散制PN结、二次清洗去磷硅玻璃、制氮化硅减反射膜、制备正面侧面背面电极和激光刻蚀。本发明的制造方法通过把P型晶硅太阳电池的正面主栅线电极转移到太阳电池背面，从而增加了正面入射光光照面积，提高了太阳电池效率。相比于金属缠绕背接触技术和发射级穿透技术，本发明不需要进行激光穿孔，减少了激光穿孔对硅片的损伤，也有利于太阳电池效率的提高。

主权项

一种正面电极侧绕背接触P型晶硅太阳电池的制造方法，包括P型硅片侧面银电极的制备，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)化学清洗制绒：采用氢氧化钠溶液或者氢氧化钾溶液，去掉P型硅片表面线切割损伤层，反应形成绒面，将P型硅片表面的反射率降低至9～11％；(2)液态磷源扩散：采用液态磷源，三氯氧磷与氧气在高温扩散炉内反应，在P型硅片表面进行扩散，形成N型扩散层，从而形成PN结；(3)二次清洗：采用氢氟酸溶液去掉硅片表面扩散时产生的磷硅玻璃；(4)沉积氮化硅减反射膜：采用PECVD法在硅片正面沉积一层氮化硅薄膜，将硅片的表面反射率由制绒后的9～11％降至3～5％；(5)丝网印刷正面银细栅线电极，烘干；(6)丝网印刷背面银细栅线和背面银主栅线电极，烘干，背面银细栅线电极和背面银主栅线电极均印刷在扩散层上；(7)丝网印刷背面铝背场和背面银铝主栅线电极，烘干；(8)制备侧面银电极：侧面银电极是在与正面银细栅线方向垂直的两个侧面上全覆盖银电极，要求正面银细栅线和背面银细栅线均与侧面银电极相接；(9)烧结形成铝硅合金层和欧姆接触；(10)激光刻蚀。