[发明专利]一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。

主权项

1.一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器，包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，其特征在于，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间还设有纳米柱薄膜层，所述纳米柱薄膜层的材料为溶解度高且疏水性强的大分子，所述大分子为风车格子，所述第二类栅绝缘层为亲水性的化合物，所述化合物为三羟甲基丙烷；纳米柱薄膜层的厚度为15～25nm；所述第一类栅绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为300nm；所述有机半导体层的材料为并五苯；所述源漏电极的材料为金。