[发明专利]一种应用高温扩散工艺制备的N型电池在审
申请号: | 201610623578.1 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN106158991A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 杨小旭;刘国钧;毛立中;沈晓东 | 申请(专利权)人: | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
地址: | 215100 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用高温扩散工艺制备的N型电池,包括硅片,在硅片正面印刷有发射极层,所述发射极层由纳米硅硼浆高温扩散而成;在所述发射极层上依次沉积有钝化膜层和正面减反层,在正面减反层上激光开孔并印刷烧结有正面金属电极,所述正面金属电极通过贯穿所述正面减反层和钝化膜层的开孔与所述硅片形成点接触;在硅片背面沉积有背面减反层,在背面减反层上激光开孔并印刷烧结有背面金属电极,所述背面金属电极通过贯穿所述背面减反层的开孔与所述硅片形成点接触。本发明可以使得硼掺杂分布均匀,提高电池性能,并且可以降低成本,可以避免使用昂贵的设备以实现规模化的量产。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用 高温 扩散 工艺 制备 电池 | ||
【主权项】:
一种应用高温扩散工艺制备的N型电池,包括硅片(1),其特征在于,在硅片(1)正面印刷有发射极层(2),所述发射极层(2)由纳米硅硼浆高温扩散而成;在所述发射极层(2)上依次沉积有钝化膜层(3)和正面减反层(4),在正面减反层(4)上激光开孔并印刷烧结有正面金属电极(5),所述正面金属电极(5)通过贯穿所述正面减反层(4)和钝化膜层(3)的开孔与所述硅片(1)形成点接触;在硅片(1)背面沉积有背面减反层(6),在背面减反层(6)上激光开孔并印刷烧结有背面金属电极(7),所述背面金属电极(7)通过贯穿所述背面减反层(6)的开孔与所述硅片(1)形成点接触;所述硅片为掺杂磷元素的N型硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的