[发明专利]改善气液两相雾化清洗均匀性的装置和方法有效
申请号: | 201610623802.7 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN106057710B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 滕宇 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善气液两相雾化清洗均匀性的装置和方法,根据气液两相雾化清洗喷嘴在晶圆表面的位置变化信息,通过改变气体和/或液体清洗介质的流量,并使气体和/或液体清洗介质的流量从晶圆中心到晶圆边缘逐渐减小,在晶圆表面的清洗液膜由晶圆中心向晶圆边缘逐渐变薄状态下,可实现从气液两相雾化清洗喷嘴喷射的气液两相雾化清洗介质微液滴在整个晶圆表面范围内形成相同大小的物理作用力,可提高气液两相雾化清洗的均匀性,改善工艺效果,从而提高芯片质量。 | ||
搜索关键词: | 改善 两相 雾化 清洗 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善气液两相雾化清洗均匀性的装置,其特征在于,包括:晶圆旋转部分,用于固定并带动晶圆水平旋转;气液两相雾化清洗喷嘴部分,用于在晶圆表面上作过圆心的圆弧往复运动,并向晶圆表面喷射气液两相雾化清洗介质;单独设置的一个液体喷淋管路,用于在晶圆表面形成完全覆盖的清洗液膜;位置信息反馈部分,用于对气液两相雾化清洗喷嘴部分在晶圆表面的相对位置信息进行反馈;流量控制部分,用于根据反馈的相对位置信息,通过控制导入气液两相雾化清洗喷嘴部分的液体和/或气体清洗介质流量,以调节其喷射的气液两相雾化清洗介质形成的物理作用力大小;其中,所述流量控制部分通过单独改变气体清洗介质的流量,或者单独改变液体清洗介质的流量,或者同时改变气体和液体清洗介质流量的方法,使气体和/或液体清洗介质的流量从晶圆中心到晶圆边缘逐渐减小,以当晶圆表面的清洗液膜由晶圆中心向晶圆边缘逐渐变薄时,实现从气液两相雾化清洗喷嘴部分喷射的气液两相雾化清洗介质微液滴在整个晶圆表面范围内形成相同大小的物理作用力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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