[发明专利]半导体硅磨片清洗剂及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610624466.8 申请日: 2016-08-03
公开(公告)号: CN107686779A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 石建伟 申请(专利权)人: 天津鑫泰士特电子有限公司
主分类号: C11D1/83 分类号: C11D1/83;C11D1/72;C11D1/22;C11D3/60;C11D3/26;C11D3/20;C11D3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300000 天津市塘沽区天津自贸*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种半导体硅磨片清洗剂及其制备方法,所述清洗剂,包括表面活性剂、有机碱、络合剂、助溶剂和水,所述清洗剂的组份和含量的体积百分比如下表面活性剂1‑15%;有机碱3‑5%;络合剂2‑10%;助溶剂3‑10%;水60‑80%;按上述组份和含量制成清洗剂,对硅片清洗操作简单,且没有增加繁琐的清洗步骤,成本低、无污染,特别适合对金刚砂研磨的硅片进行清洗。
搜索关键词: 半导体 硅磨片清 洗剂 及其 制备 方法
【主权项】:
一种半导体硅磨片清洗剂,包括表面活性剂、有机碱、络合剂、助溶剂和水,其特征在于,所述清洗剂的组份和含量的体积百分比如下:表面活性剂1‑15%;有机碱3‑5%;络合剂2‑10%;助溶剂3‑10%;水60‑80%;其中,所述表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其组合;所述有机碱选自以下组分中的一种或两种:三乙醇胺、四甲基氢氧化铵;所述的络合剂选自以下的一种或多种:乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠和乙二胺四乙酸;所述助溶剂选自丙三醇、乙醇、异丙醇或其混合物;所述水为去离子水。
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