[发明专利]一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构有效
| 申请号： | 201610624781.0 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106057904B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王勇;王瑛;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞华南设计创新院;广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/161 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗基硅锗降场层 ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极；所述P型锗沟道层的上方表面连接所述N型掺杂的锗漂移层，所述N型掺杂的锗漂移层的上方表面连接所述重N型掺杂的锗欧姆接触层，所述重N型掺杂的锗欧姆接触层的一端连接所述P型掺杂的硅锗漂降场层。
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