[发明专利]刺激电极结构及人工视网膜的植入装置有效
申请号: | 201610624835.3 | 申请日: | 2016-08-01 |
公开(公告)号: | CN106362279B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 赵瑜;方骏飞;王蕾 | 申请(专利权)人: | 深圳硅基仿生科技有限公司 |
主分类号: | A61N1/05 | 分类号: | A61N1/05;A61N1/36;A61F9/00 |
代理公司: | 深圳舍穆专利代理事务所(特殊普通合伙) 44398 | 代理人: | 黄贤炬 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种刺激电极结构,其包括:绝缘衬底;以及多个刺激电极,其设置在所述绝缘衬底中,并且构成沿着与所述绝缘衬底平行的二维方向排列的阵列体,所述刺激电极从所述绝缘衬底的表面突起,所述多个刺激电极的各个刺激电极的电极高度大致相同,所述多个刺激电极与所述绝缘衬底的表面相距的电极距离从所述阵列体的中央向所述阵列体的边缘逐渐减小。在本发明所涉及的人工视网膜的电极阵列中,既形成了由三维刺激电极构成的阵列体,同时也降低了刺激电极之间的阻抗差异,从而能够更加有效地对视网膜进行刺激。 | ||
搜索关键词: | 刺激 电极 结构 人工 视网膜 植入 装置 | ||
【主权项】:
1.一种刺激电极结构,其特征在于:包括:绝缘衬底,其由具有生物兼容性的柔性材料构成;以及多个刺激电极,其设置在所述绝缘衬底中,并且构成沿着与所述绝缘衬底平行的二维方向排列的阵列体,所述刺激电极从所述绝缘衬底的表面突起,所述多个刺激电极的各个刺激电极的电极高度大致相同,所述多个刺激电极的顶端与所述绝缘衬底的表面相距的电极距离从所述阵列体的中央向所述阵列体的边缘逐渐减小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳硅基仿生科技有限公司,未经深圳硅基仿生科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610624835.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种等离子大型手术设备
- 下一篇:人体任督二脉循环运行辅助装置