[发明专利]一种沟槽半导体装置在审
| 申请号： | 201610625419.5 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN107665921A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽半导体装置，在漂移层中设置不同厚度沟槽侧壁绝缘层，沟槽内填充导电材料，还包括在漂移层内部设置沟槽结构；与现有技术相比，抑制沟槽底部边缘尖峰电场，在漂移层中形成多个峰值电场，提高器件反向阻断特性或正向导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种沟槽半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层表面或漂移层内部，沟槽内壁设置有绝缘层，沟槽侧壁绝缘层设置两个或多个厚度，为上薄下厚，沟槽侧壁绝缘层下部包括为不同绝缘材料叠加而成，沟槽内壁绝缘层包裹导电材料，导电材料包括为金属或掺杂多晶半导体材料，漂移层内部沟槽内导电材料上表面与漂移层半导体材料接触，漂移层内部沟槽内导电材料上表面包括设置有肖特基势垒结；半导体结，位于漂移层表面，为肖特基结或PN结。
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