[发明专利]一种多晶硅靶材的铸造工艺在审
| 申请号： | 201610625642.X | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106245112A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王峰;姚玉杰;李鹏廷 | 申请（专利权）人： | 大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司37212 | 代理人： | 巩同海 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于硅质靶材的制备领域，具体涉及一种多晶硅靶材的铸造工艺。所述工艺包括以下步骤：(1)装入4‑5N的多晶硅料，并加入铁硼合金作为掺杂剂；(2)将装好的硅料投炉后抽真空，加热；(3)熔化阶段；(4)跳步至长晶阶段；(5)退火；(6)降温阶段。通过此工艺可将原料的纯度要求从5N降低到4N，从而大大降低了使用原料的成本；且通过该工艺得到的硅锭，可用部分的出成率能够达到75％左右，并避免了多晶硅靶材锭裂纹的出现等；另外，掺杂剂铁硼合金成本较低，市场普遍存在且分凝效果好，相比于硼铝合金出成率高5％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅靶材 铸造 工艺 | ||
【主权项】：
一种多晶硅靶材的铸造工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)装入4‑5N的多晶硅料，并加入铁硼合金作为掺杂剂；(2)将装好的硅料投炉后抽真空，加热；(3)熔化阶段；(4)跳步至长晶阶段；(5)退火；(6)降温阶段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司，未经大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610625642.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
