[发明专利]低功耗半导体整流器件

摘要

本发明公开了一种低功耗半导体整流器件，其二极管芯片包括表面设有重掺杂N型区的重掺杂P型单晶硅片，重掺杂N型区与重掺杂P型单晶硅片接触，重掺杂N型区四周设有沟槽，沟槽位于重掺杂P型单晶硅片和重掺杂N型区四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片的中部；沟槽的表面覆盖有绝缘钝化保护层，此绝缘钝化保护层由沟槽底部延伸至重掺杂N型区表面的边缘区域，重掺杂P型区表面覆盖作为另一个电极的第二金属层，第一弧形凹陷区和第二弧形凹陷区分别与第一引线条的引脚区和第二引线条的引脚区相对设置。通过上述方式，本发明将多余的焊锡平均进行分配，保证了均匀焊接，增加了焊接的强度，使多余的焊锡进行了再次利用，焊接面积至少增加了15%。

主权项

一种低功耗半导体整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），第一引线条（1）一端设有与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是第一引脚区（61），第一引脚区（61）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）两端分别为第一焊接端（31）和第二焊接端（32）；所述第二引线条（2）一端是与所述第一焊接端（31）连接的焊接区（7），第二引线条（2）另一端为第二引脚区（62），第二引脚区（62）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面设有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周设有沟槽（44），沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面的边缘区域，重掺杂P型区（41）表面覆盖有作为电极的第二金属层（47）；其特征在于：靠近所述绝缘钝化保护层（45）内侧的重掺杂N型区（42）区域开有一U形凹槽（48），此重掺杂N型区（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方设有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重掺杂N型区（42）和U形凹槽（48）的表面覆盖有作为电极的第一金属层（46）；所述环氧封装体（12）底部设有一条形凸起绝缘部（13），此条形凸起绝缘部（13）位于第一引脚区（61）与第二引脚区（62）之间，位于条形凸起绝缘部（13）的两侧表面分别设有第一弧形凹陷区（14）和第二弧形凹陷区（15），第一弧形凹陷区（14）和第二弧形凹陷区（15）分别与第一引脚区（61）和第二引脚区（62）相对设置。