[发明专利]微型表面贴装半导体整流器件

摘要

本发明一种微型表面贴装半导体整流器件，其靠近所述绝缘钝化保护层内侧的重掺杂N型区区域开有一U形凹槽，此重掺杂N型区下表面且位于U形凹槽正下方设有一向下的凸起部，裸露出的所述重掺杂N型区和U形凹槽的表面覆盖作为电极的第一金属层；所述环氧封装体底部设有一条形凸起绝缘部，此条形凸起绝缘部位于第一引线条的引脚区与第二引线条的引脚区之间，位于条形凸起绝缘部两侧表面和下表面分别设有第一弧形凹陷区、第二弧形凹陷区和第三弧形凹陷区。本发明使芯片面积从现有的80mil下降到60‑65mil，在不影响过压保护能力的情况下，芯片成本下降了11%，大功率器件焊机良率达到97%以上。

主权项

一种微型表面贴装半导体整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是第一引脚区（61），该第一引线条（1）的第一引脚区（61）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）两端分别为第一焊接端（31）和第二焊接端（32）；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为第二引脚区（62），该第二引线条（2）的第二引脚区（62）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面设有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周设有沟槽（44），此沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），此绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面的边缘区域，重掺杂P型区（41）表面覆盖有作为电极的第二金属层（47）；其特征在于，靠近所述绝缘钝化保护层（45）内侧的重掺杂N型区（42）区域开有一U形凹槽（48），此重掺杂N型区（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方设有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重掺杂N型区（42）和U形凹槽（48）的表面覆盖作为电极的第一金属层（46）；所述连接片（3）的第二焊接端（32）为由若干个波峰面（13）和波谷面（14）交替排列组成的波浪形表面，该波浪形表面通过焊锡膏层（15）与二极管芯片（4）电连接，所述连接片（3）的波浪形表面末端位于U形凹槽（48）正上方；所述环氧封装体（12）底部设有一条形凸起绝缘部（16），此条形凸起绝缘部（16）位于第一引线条（1）的第一引脚区（61）与第二引线条（2）的第二引脚区（62）之间，位于条形凸起绝缘部（16）的两侧表面和下表面分别设有第一弧形凹陷区（17）、第二弧形凹陷区（18）和第三弧形凹陷区（19），第一弧形凹陷区（17）和第二弧形凹陷区（18）分别与第一引线条（1）的第一引脚区（61）和第二引线条（2）的第二引脚区（62）相对设置；所述环氧封装体（12）的上表面设有凹陷区（20），此凹陷区位于二极管芯片（4）正上方。