[发明专利]半导体陶瓷组合物和PTC热敏电阻有效
申请号: | 201610627105.9 | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN106431390B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 藤田一孝;伊藤和彦;志村寿一 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01C7/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;沈央 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使在大气中烧结也可以容易地半导体化,常温电阻率小,即使长时间通电也可以抑制电阻值的经时劣化,并且耐受电压大的居里温度为120℃以上的BaTiO3系半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻。所述半导体陶瓷组合物以式(1)所表示的化合物作为主成分。(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3(1)(A为Na和K,RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种,TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种)、0.01≤x≤0.15(2)、x≤y≤0.3(3)、0≤(w+z)≤0.01(4)、v+x+y+w=1(5)、u+z=1(6)、0.950≤m≤1.050(7),进一步含有0.001~0.055mol的Ca,Na/(Na+K)的比为0.1以上且小于1。 | ||
搜索关键词: | 半导体 陶瓷 组合 ptc 热敏电阻 | ||
【主权项】:
1.一种半导体陶瓷组合物,其特征在于,具备以下述通式(1)所表示的BaTiO3系化合物为主成分的烧结体,(BavBixAyREw)m(TiuTMz)O3 (1)上述通式(1)中,上述A同时包含Na和K这2种元素,上述RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少1种元素,上述TM为选自V、Nb和Ta中的至少1种元素,w、x、y、z和m满足下述式(2)~(7),0.01≤x≤0.15 (2)x≤y≤0.3 (3)0≤(w+z)≤0.01 (4)v+x+y+w=1 (5)u+z=1 (6)0.950≤m≤1.050 (7)进一步,相对于1mol的Ti位点即Ti和TM的总摩尔数,以元素换算以0.001mol以上且0.055mol以下的比例含有Ca,并且Na/(Na+K)的比为0.1以上且0.5以下。
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