[发明专利]一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺在审
| 申请号： | 201610627189.6 | 申请日： | 2016-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN106241730A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 戴丽萍;宋文平;王志明;许龙来;夏万顺;王姝娅;钟志亲;张国俊 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人： | 杨保刚;晏辉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，步骤如下：(1)利用化学气相沉积工艺在Si层上沉积一层SiO2薄膜，(2)刻蚀SiO2薄膜，(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极；(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜；(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2薄膜；(6)Si层第一次干刻；(7)去除Cr掩膜；(8)Si层第二次干刻；(9)绝缘层刻蚀，释放梳齿结构。采用简单工艺同时制造出等高和不等高垂直梳齿结构，可实现加速度计三轴方向特别是Z轴方向上加速度的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 垂直 梳齿 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于SOI的垂直梳齿制造工艺，SOI从下到上依次为衬底、绝缘层、Si层，其特征在于，步骤如下：(1)在Si层上沉积一层SiO2薄膜，(2)刻蚀SiO2薄膜，形成SiO2掩膜；(3)采用物理气相沉积和剥离技术得到铝电极；(4)采用物理气相沉积和剥离技术得到Cr掩膜；(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆盖的SiO2掩膜；(6)Si层第一次干刻；(7)去除Cr掩膜；(8)Si层第二次干刻；(9)绝缘层及SiO2掩膜刻蚀，释放梳齿结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610627189.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
