[发明专利]校准用在片电容标准件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。

主权项

1.一种校准用在片电容标准件，其特征在于：包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器，所述标准电容包括衬底，所述衬底上设有梳齿电容，所述梳齿电容包括若干个并联连接的分立电容，其中梳齿电容的负极位于两行电容的内侧，且梳齿电容的负极上设有两个负极板，所述梳齿电容的正极位于两行电容的外侧，且梳齿电容的正极上设有两个正极板，所述两个负极板和所述两个正极板设置一列，且正极板位于所述标准电容的后侧，所述负极板位于所述标准电容的前侧，与所述两个负极板和所述两个正极板一列的衬底上设有接地极板，所述的两个正极板和两个负极板用于与LCR测量仪连接，实现对所述标准电容的测量，其中的两个正极板分别用于连接LCR测量仪的IH端和PH端，两个负极板分别用于连接LCR测量仪的IL端和PL端。