[发明专利]一种有机晶体生长水浴循环装置

摘要

本发明属于晶体生长设备技术领域，涉及一种有机晶体生长水浴循环装置，玻璃水浴缸内置有聚四氟乙烯支架，晶体生长瓶放置在聚四氟乙烯支架上，并置于玻璃水浴缸中间位置，温控装置放置在玻璃水浴缸的外侧，温控装置分别与热电偶和电加热棒电连通，进水管和出水管分别固定在聚四氟乙烯支架的上下两端，进水管和出水管上均匀分布圆孔均匀分布，进水管和出水管分别与水泵连接，水泵悬挂在玻璃水浴缸的上方，并与调速器连接，玻璃水浴缸的顶端盖有密封盖，密封盖上带有凹槽和小孔，水泵固定在密封盖上；其结构简单，操作方便，成本低，保证晶体生长瓶内溶液温度的均匀，降低底部出现自发成核的概率，提高溶液稳定性，易于生长大尺寸单晶。

主权项

1.一种采用有机晶体生长水浴循环装置生长晶体的方法，其特征在于具体工艺为：(1)将热电偶和电加热棒分别与温控装置相连后通过密封盖上的小孔置于玻璃水浴缸中；(2)将聚四氟乙烯支架放入玻璃水浴缸，并将玻璃水浴缸内水温调节至48℃；(3)将水泵分别与调速器、进水管和出水管相连后将进水管和出水管分别固定在聚四氟乙烯支架的上下两端；(4)配制400mL浓度为3.0g/100mL的DAST晶体生长溶液并将其置于晶体生长瓶中，将晶体生长瓶放在聚四氟乙烯支架上；(5)打开水泵，调节调速器控制水流速度为5L/min，使玻璃水浴缸内的水缓慢流动循环，以减小水泵对整个装置造成的振动；(6)设置温控表的降温程序，水浴加热装置的起始温度设为48℃，保温5个小时，然后以1℃/天的速度降温，当溶液接近饱和时，开始以0.2℃/天的速度降温，降至溶液饱和点；(7)溶液降至饱和点后，放入处理好的籽晶，设置降温程序，保温1个小时，然后以0.2℃/天的速度降温，进行籽晶法晶体生长，并用聚四氟乙烯密封带将密封盖上的小孔密封，以保证装置的密封性；(8)晶体生长25天后取出，得到尺寸为11×13×1.5mm3的DAST晶体；所述有机晶体生长水浴循环装置的主体结构包括密封盖、进水管、玻璃水浴缸、电加热棒、晶体生长瓶、出水管、聚四氟乙烯支架、水泵、调速器、温控装置和热电偶；透明圆形大口径结构的玻璃水浴缸内置有聚四氟乙烯支架，晶体生长瓶放置在10cm高的聚四氟乙烯支架上，并置于玻璃水浴缸中间位置，温控装置放置在玻璃水浴缸的外侧，温控装置分别与热电偶和电加热棒电连接，用于反馈水浴温度和控制玻璃水浴缸的温度；均为圆形结构的进水管和出水管分别固定在聚四氟乙烯支架的上下两端，进水管和出水管上均匀分布圆孔，使玻璃水浴缸的四周能均匀吸水出水；进水管和出水管分别与水泵连接，水泵悬挂在玻璃水浴缸的上方，并与调速器连接，玻璃水浴缸内的水从进水管均匀吸入后通过水泵从出水管均匀排出，调速器用来控制玻璃水浴缸内水的流速；玻璃水浴缸的顶端盖有密封盖，密封盖上带有凹槽和小孔，密封盖的凹槽内放置有橡皮圈并与玻璃水浴缸的边缘吻合，防止密封盖滑动的同时减小水泵造成的轻微震动；引出热电偶与电加热棒的电线从密封盖上的小孔穿过，水泵固定在密封盖上。