[发明专利]用于检测由于辐射暴露而引起的半导体器件劣化的装置和方法在审
| 申请号： | 201610628533.3 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106443398A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | A·J·威特科普 | 申请（专利权）人： | 费希尔控制产品国际有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/316;G01T1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 曹雯 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于检测由于辐射暴露而引起的半导体器件劣化的装置和方法。用于检测由于辐射暴露而引起的电路故障的示例性方法包括：确定模拟电路中的半导体器件的电流，基于该电流来确定该半导体器件已被暴露于辐射的辐射量，将该辐射量与辐射剂量阈值相比较，以及基于比较结果来指示该半导体器件的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 由于 辐射 暴露 引起 半导体器件 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：确定模拟电路中的半导体器件的电流；基于所述电流来确定所述半导体器件已被暴露于辐射的辐射量；将所述辐射量与辐射剂量阈值相比较；以及基于比较结果来指示所述半导体器件的劣化。
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