[发明专利]防雪崩的准垂直HEMT有效

专利信息
申请号: 201610629469.0 申请日: 2016-08-03
公开(公告)号: CN106449727B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: G·库拉托拉;R·西明耶科 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L27/06
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;董典红
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 本申请涉及防雪崩的准垂直HEMT。半导体器件包括:半导体本体,所述半导体本体包括第一横向表面和第二横向表面。第一器件区域包括第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的漂移电流控制区域,所述漂移电流控制区域通过所述漂移区域与所述第二横向表面隔开。第二器件区域包括阻挡层和缓冲层,所述缓冲层具有与所述阻挡层不同的带隙,使得沿着所述缓冲层和所述阻挡层之间的界面出现二维电荷载流子气沟道。导电衬底接触件形成所述二维电荷载流子气沟道与所述漂移区域之间的低欧姆连接。栅极结构被配置用于控制所述二维电荷载流子气的传导状态。所述漂移电流控制区域被配置用于经由空间电荷区域来阻止所述漂移区域中的垂直电流。
搜索关键词: 雪崩 垂直 hemt
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体本体,所述半导体本体包括第一横向表面和与所述第一横向表面相反的第二横向表面;第一器件区域,延伸到所述第二横向表面,并且包括:第一导电类型的漂移区域和第二导电类型的漂移电流控制区域,所述第二导电类型与所述第一导电类型相反,所述漂移电流控制区域通过所述漂移区域与所述第二横向表面隔开;第二器件区域,延伸到所述第一横向表面,并且包括:阻挡层和缓冲层,所述缓冲层具有与所述阻挡层不同的带隙,并且在所述缓冲层和所述阻挡层之间的界面处具有二维电荷载流子气沟道;导电衬底接触件,形成所述二维电荷载流子气沟道与所述漂移区域之间的低欧姆连接;以及栅极结构,被配置用于控制所述二维电荷载流子气的传导状态,其中所述漂移电流控制区域被配置用于经由在所述漂移电流控制区域与所述漂移区域之间的pn结处出现的空间电荷区域来阻止所述漂移区域中的垂直电流。
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