[发明专利]全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610629531.6 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106449755B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | J·米塔德 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法。本发明揭示了GAA纳米丝半导体器件和制造该GAA纳米丝半导体器件的方法。GAA纳米丝半导体器件包括：具有主表面的半导体基材；在基材上的纳米丝的垂直堆叠；纳米丝具有平行于主表面的纵向方向；垂直堆叠包括至少第一类型的纳米丝和至少第二类型的纳米丝。第一类型的纳米丝包括第一材料。第二类型的纳米丝包括内部部分和内部部分旁边的外部部分，并且至少外部部分包括不同于第一材料的第二材料。第一类型的纳米丝和第二类型的纳米丝包括电连接到相应源区域和漏区域的通道区域，第二类型的纳米丝的通道区域至少由第二类型的纳米丝的内部部分形成。纳米丝半导体器件还包括布置在第一类型和第二类型的纳米丝的通道区域四周的共享门结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米丝半导体器件(150)，其包括：‑半导体基材(100)，其具有主表面(111)；‑在所述基材(100)上的纳米丝的垂直堆叠(1100)；所述纳米丝具有平行于所述主表面的纵向方向；所述垂直堆叠包括至少n型纳米丝(1101)和至少p型纳米丝(1102)；‑所述n型纳米丝(1101)包括第一材料(101)；‑所述p型纳米丝(1102)在其纵向方向包括具有两个侧面的内部部分(170)和所述内部部分(170)的每侧的外部部分(171)，所述两个外部部分(171)中的至少一个包括不同于所述第一材料(101)的第二材料(160)；‑所述n型纳米丝(1101)和p型纳米丝(1102)包括与相应的源区域(121)和漏区域(122)电连接的通道区域；‑所述p型纳米丝(1102)的通道区域至少包括所述第二类型纳米丝(1102)的内部部分(171)；‑绕着n型纳米丝(1101)和p型纳米丝(1102)的通道区域(101、102)四周布置的共享门结构(112)。
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