[发明专利]一种Ce掺杂YAG发光陶瓷的制备方法有效
申请号: | 201610629817.4 | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN107686350B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 陈雨叁;李乾;许颜正 | 申请(专利权)人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/505 | 分类号: | C04B35/505;C04B35/628;C04B35/624 |
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地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种Ce掺杂YAG发光陶瓷的制备方法,包括:氧化铈纳米粉体与可溶性钇盐溶液在沉淀剂的存在下,反应生成包覆型的氧化铈‑氧化钇复合粉体的前驱体后,经焙烧后得到氧化钇包覆在氧化铈纳米粉体表面的包覆型的氧化铈‑氧化钇复合粉体;将氧化铈‑氧化钇复合粉体与铝的化合物进行混料后,经过烧结预处理和烧结,得到Ce掺杂YAG发光陶瓷。使用本发明的制备方法得到的包覆型氧化铈‑氧化钇复合粉体,铈与氧化钇能够充分均匀地相互接触,提高了铈进入钇晶格中的反应效率,从而提高发光陶瓷的相纯度;同时,该制备方法工艺简单,生产周期缩短,降低成本,适合批量生产。 | ||
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【主权项】:
一种Ce掺杂YAG发光陶瓷的制备方法,其特征在于,所述方法包括:(1)制备氧化铈‑氧化钇复合粉体:氧化铈纳米粉体与可溶性钇盐溶液在沉淀剂的存在下,发生反应生成包覆型的氧化铈‑氧化钇复合粉体的前驱体后,经焙烧后得到氧化钇包覆在氧化铈纳米粉体表面的包覆型的氧化铈‑氧化钇复合粉体;(2)制备Ce掺杂YAG发光陶瓷:将所述氧化铈‑氧化钇复合粉体与铝的化合物进行混料后,经过烧结预处理和烧结,得到Ce掺杂YAG发光陶瓷。
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