[发明专利]衬底处理设备有效
| 申请号： | 201610630052.6 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106505010B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金俊浩;安载信;韩宰贤 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底处理设备，并且更确切地说，涉及一种通过使用感应线圈来产生等离子体的衬底处理设备。所提供的是一种衬底处理设备。衬底处理设备包含：腔室，其经配置以容纳衬底并且提供衬底处理空间；处理气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到腔室中；感应线圈，其设置在腔室的至少一部分的外部；以及电源单元，其连接到感应线圈的两端之间的中心区域，并且通过中心区域对感应线圈施加功率。本发明的衬底处理设备能够减少对衬底的损害并且提高衬底处理的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种衬底处理设备，其特征在于包括：腔室，其经配置以容纳衬底并且提供衬底处理空间；处理气体供应单元，其经配置以将处理气体供应到所述腔室中；感应线圈，其设置在所述腔室的至少一部分的外部；以及电源单元，其连接到所述感应线圈的两端之间的中心区域，并且通过所述中心区域对所述感应线圈施加功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
