[发明专利]利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法有效
| 申请号： | 201610630926.8 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106119795A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市第四能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法，该方法是将负极基材安装到极片架上；开启连续式真空磁控溅射镀膜设备，调整设备至可镀膜工艺条件；投入待镀膜基片架‑铜箔；离子源等离子轰击剥离铜箔表面氧化层、去除表面尖峰；直流溅镀C‑Si膜；加热退火处理；出料后特性检查；本发明通过磁控溅射真空镀膜技术在锂电池负极铜箔上沉积一层C‑Si复合负极薄膜，以提高负极电极电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 真空 磁控溅射 镀膜 技术 制备 锂电池 si 负极 涂层 方法 | ||
【主权项】：
利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法，其特征在于它包括以下步骤：a、将负极基材安装到极片架上；b、开启连续式真空磁控溅射镀膜设备，调整设备至可镀膜工艺条件；c、投入待镀膜基片架‑铜箔；d、离子源等离子轰击剥离铜箔表面氧化层、去除表面尖峰；e、直流溅镀C‑Si膜；f、加热退火处理；g、出料后特性检查。
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