[发明专利]在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201610631795.5 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106067492B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市企*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98‑102nm的SiO2或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8‑1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4‑1.6微米，再将氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，通过采用降低MOCVD反应室压力，提高V/III比的方式，控制氮化镓外延层的生长模式，外延层会在接续垂直生长的同时在掩膜图形层上侧向外延生长，制备出高亮度氮化镓基发光二极管。本发明制备的氮化镓基发光二极管散热性好。 1 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜图形 制备 氮化镓单晶 圆型孔 衬底 氮化镓基发光二极管 氮化镓发光二极管 图形化 侧向外延生长 氮化镓外延层 周期性结构 衬底清洗 垂直生长 二次生长 散热性好 图形周期 外延层 放入 沉积 接续 生长 | ||
【主权项】：
1.一种在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法，包括以下步骤：步骤1，在氮化镓单晶衬底上沉积厚度为98‑102nm的SiO2或SiN作为掩膜图形层，再把该掩膜图形层制备为具有周期性结构的圆型孔状掩膜图形层，该圆型孔状掩膜图形层的圆型孔直径为0.8‑1.0微米，该圆型孔状掩膜图形层的图形周期为1.4‑1.6微米；步骤2，把制备有圆型孔状掩膜图形层的氮化镓单晶衬底清洗干净后放入MOCVD反应室进行二次生长，在H2气氛、950‑1050℃下，MOCVD反应室的压力为200‑300torr、V/III摩尔比为1000‑1300，三维生长厚度为150‑200 nm的n型GaN三维生长层；步骤3，在H2气氛、1050‑1100℃下，MOCVD反应室的压力为60‑100torr、V/III摩尔比为1300‑3000，二维生长厚度为1‑3微米的n型GaN二维合并层；步骤4，在N2气氛、820‑850℃下，V/III摩尔比为5000‑10000，MOCVD反应室的压力为300torr,生长厚度为150nm 的n型GaN低温应力释放层；步骤5，在N2气氛、750‑850℃下，V/III摩尔比为5000‑10000，MOCVD反应室的压力为300torr,生长5‑10周期的InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源区,其中，0
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中镓半导体科技有限公司，未经东莞市中镓半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610631795.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
