[发明专利]触控有机发光二极管显示装置、面板的制造方法有效
申请号: | 201610632186.1 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN105977402B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 刘彦龙;苏俊武;丁杰;李涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市景方盈科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人: | 谭丽莎 |
地址: | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种触控有机发光二极管显示装置、面板的制造方法。触控有机发光二极管显示装置的制造方法包括:A、形成触控有机发光二极管显示面板;B、将触控有机发光二极管显示面板与控制器和驱动电路连接;步骤A包括:a1、在玻璃基板的第一表面上设置开关器件阵列层;a2、在开关器件阵列层上设置平坦化层;a3、在平坦化层上设置显示器件层;a4、在显示器件层上设置盖板;a5、在玻璃基板的第二表面上设置触控器件层,玻璃基板的第二表面上设置有卡设构件,触控器件层与卡设构件相卡设,第二表面为玻璃基板上与第一表面相对的表面。本发明能避免触控器件层发生相对偏移的情况。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 面板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种触控有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:A、形成触控有机发光二极管显示面板;B、将所述触控有机发光二极管显示面板与控制器和驱动电路连接;其中,所述步骤A包括:a1、在玻璃基板的第一表面上设置开关器件阵列层,其中,所述开关器件阵列层包括扫描线、数据线、薄膜晶体管开关,所述薄膜晶体管开关包括半导体层、栅极、源极和漏极,所述栅极与所述扫描线连接,所述源极与所述数据线连接;a2、在所述开关器件阵列层上设置平坦化层;a3、在所述平坦化层上设置显示器件层,其中,所述显示器件层包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层、阴极层;a4、在所述显示器件层上设置盖板,其中,所述盖板与所述玻璃基板的边缘部相固定;a5、在所述玻璃基板的第二表面上设置触控器件层,其中,所述玻璃基板的所述第二表面上设置有卡设构件,所述触控器件层与所述卡设构件相卡设,所述第二表面为所述玻璃基板上与所述第一表面相对的表面;所述步骤a3包括:a31、在所述阳极层上设置所述空穴注入层;a32、在所述空穴注入层上设置所述空穴传输层;a33、在所述空穴传输层上设置所述发光材料层;a34、在所述发光材料层上设置所述电子传输层;a35、在所述电子传输层上设置所述电子注入层;a36、在所述电子注入层上设置所述阴极层;所述触控器件层用于感测用户的触控操作,并生成触控信号;所述步骤a5包括:a51、在所述第二表面上设置第一信号线层,其中,所述第一信号线层包括至少两第一信号线;a52、在所述第一信号线以及所述第二表面上设置绝缘层;a53、在所述绝缘层上设置第二信号线层,所述第二信号线层包括至少两第二信号线;a54、在所述第二信号线以及所述绝缘层上设置保护层;所述第一信号线与所述第二信号线形成交汇处;在所述步骤a51之后,所述步骤a5还包括:a55、在所述第一信号线上与所述交汇处对应的部分设置第一结构增强块,其中,所述第一结构增强块设置在所述第一信号线上沿垂直于所述玻璃基板的方向的上方,所述第一结构增强块用于提高所述第一信号线在所述交汇处的结构强度,以防止所述第一信号线在所述交汇处断裂;在所述步骤a53之后,所述步骤a5还包括:a56、在所述第二信号线上与所述交汇处对应的部分设置第二结构增强块,所述第二结构增强块设置在所述第二信号线上沿垂直于所述玻璃基板的方向的上方,所述第二结构增强块用于提高所述第二信号线在所述交汇处的结构强度,以防止所述第二信号线在所述交汇处断裂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市景方盈科技有限公司,未经深圳市景方盈科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610632186.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择