[发明专利]西农431甘薯的脱毒培育方法

摘要

本发明是西农431甘薯的脱毒培育方法，其培育步骤为：首先选取生长旺盛的植株的顶芽，对其进行消毒处理，然后在解剖镜下剥取带2个叶原基的0.3mm的生长点，将其接种到培养基中进行培养，当茎尖发育成带有4～5个叶片的小植株时进行病毒检测，留下健康无病毒的植株，最后截取茎段，插入培养基中育苗成完整植株，再将植株移栽入苗圃中，本发明实可操作性强，培育步骤合理，可以获得成活率较高的西农431甘薯苗，并且在培育过程中，合理选用加入了生长调节剂的MS培养基，有助于植株幼苗的生长，提高幼苗成活率，植株培育完成后进行了炼苗，在移栽苗圃地后，进行了渐进的通风透气，提高了植株幼苗的环境适应性和成活率。

主权项

西农431甘薯的脱毒培育方法，其特征在于，其步骤如下：(1)在西农431甘薯的种植大田中选取长势旺盛的健康植株，剪取3cm长的顶芽，对齐进行消毒，消毒方法为：首先用0.1％的洗衣粉浸泡10min，用流水冲洗1～2h，再用75％的酒精浸泡60s，再用2.5％NaOCl消毒5～10min，使用无菌水冲洗5次；(2)在解剖镜下无菌剥离0.3mm大小的生长点带2个叶原基，接种在预先制备好的培养基中进行培养，培养基为：在MS基本培养基中加入BAP 1mg/L、NAA0.01mg/L和GA3 0.1mg/L，培养条件为：培养温度为27℃，光照强度2000LX，光照时间13h/d；(3)当茎尖发育成带有4～5个叶片的小植株时，进行血清法病毒检测，检测程序为：样品采集→在膜上点样→加入封阻液→冲洗→添加特异病毒抗体→冲洗→加入酶标抗体→冲洗→显色→终止反应，得到检测呈阴性的脱毒株系；(4)对脱毒株系进行快繁培育，在无菌条件下，将茎尖苗剪切成段，每段带一节和一片叶，形态学的下端扦插于培养基中进行培育，培养基为：在MS基本培养基中加入IAA 0.1mg/L和GA3 0.1mg/L，培养温度为27℃，光照强度2000LX，光照时间15h/d，使茎段下端长出根，侧芽向上萌发形成完整植株；(5)长成完整植株后进行炼苗，方法为：将装有小苗的培养瓶移到15℃的培养室中放置7d，然后打开培养瓶用镊子取出小苗，洗去根部残余的培养基；(6)将经过炼苗后的植株苗栽入苗圃地，进行盖土、洒水，及时搭建塑料薄膜拱棚，并加盖遮阳网，进行覆盖遮阴保湿30d，然后去除遮阳网及塑料薄膜。