[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及其制造方法

摘要

一种高电子迁移率晶体管器件，涉及半导体技术领域，该器件的第一介质层位于栅极与源极、漏极之间的半导体层上，第一源场板位于栅极与漏极之间的第一介质层上，第二介质层位于栅极、第一源场板和第一介质层上，第二源场板位于栅极、第一源场板上的第二介质层上，第一源场板和第二源场板削弱栅极与漏极之间靠近栅极的区域强电场，第一介质层和第二介质层在长时间应力、高电压应力下不易发生介质层失效。该器件既能削弱栅极与漏极之间靠近栅极区域存在的强电场，又能减少栅极和源场板之间的介质层发生失效的几率。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管器件的制造方法，工艺流程简单，制得的器件可靠性高。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，其包括：衬底；半导体层，位于所述衬底上；栅极、源极和漏极，位于所述半导体层上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；第一介质层，位于所述栅极与所述源极、所述栅极与所述漏极之间的所述半导体层上，且不覆盖所述源极、所述栅极与所述漏极；第一源场板，位于所述栅极与所述漏极之间的所述第一介质层上；第二介质层，位于所述第一介质层上，并直接覆盖所述栅极、所述第一源场板；以及第二源场板，位于所述第二介质层上，并位于所述栅极、所述第一源场板的上方，其中，所述源极、所述第一源场板和所述第二源场板等电位；所述栅极与所述第一源场板之间的第二介质层远离衬底一侧还存在空气介质。