[发明专利]半导体发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610632770.7 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106449926A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 金龙泰;安壹镐;杨仁范;李东烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的暴露部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：半导体层压板，其包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层，第二导电半导体层和有源层限定暴露第一导电半导体层的第一部分的第一沟槽和暴露第一导电半导体层的第二部分的第二沟槽；第一指形电极，其设置在第一沟槽中的第一导电半导体层的第一部分上；绝缘层，其设置在第二沟槽的内表面上；以及第二指形电极，其设置在第二沟槽中的绝缘层上，并且电连接至第二导电半导体层。
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