[发明专利]助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法在审
| 申请号： | 201610633144.X | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107687022A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其包括在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技术，本发明方法通过在助熔剂法生长氮化镓单晶的体系内添加氮化后的碳材料作为添加剂，可以有效抑制氮化镓多晶的形成，促进氮化镓籽晶液相外延生长，并有效降低氮化镓籽晶生长前期的籽晶回溶。 | ||
| 搜索关键词： | 熔剂 生长 gan 单晶体 促进 籽晶 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其特征在于包括：在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610633144.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有联动搅拌杆的搅拌釜
- 下一篇：一种化妆品的加工搅拌设备
