[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括低压器件区、高压器件区和核心器件区，在低压器件区、高压器件区和核心器件区形成虚拟栅极氧化层和虚拟栅极，以及包围虚拟栅极氧化层和虚拟栅极的层间介电层；去除高压器件区中的虚拟栅极以形成第一开口，并在第一开口中的虚拟栅极氧化层上形成附加氧化层；去除低压器件区和核心器件区中的虚拟栅极以分别形成第二开口和第三开口；去除第三开口中的虚拟栅极氧化层，并在第三开口中形成界面层；在所述第一、第二和第三开口中形成高K材料层和金属栅极。该制作方法可以提高器件性能。该半导体器件和电子装置具有较高的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括低压器件区、高压器件区和核心器件区，在所述低压器件区、高压器件区和核心器件区的半导体衬底上形成虚拟栅极氧化层和虚拟栅极，以及包围所述虚拟栅极氧化层和虚拟栅极的层间介电层；去除所述高压器件区中的虚拟栅极以形成第一开口，并在所述第一开口中的虚拟栅极氧化层上形成附加氧化层；去除所述低压器件区和核心器件区中的虚拟栅极以分别形成第二开口和第三开口；去除所述第三开口中的虚拟栅极氧化层，并在所述第三开口中的半导体衬底上形成界面层；在所述第一、第二和第三开口中形成高K材料层，并在所述高K材料层上形成金属栅极。