[发明专利]一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法在审
| 申请号： | 201610634329.2 | 申请日： | 2016-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106299786A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李德恒 | 申请（专利权）人： | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01R13/02 | 分类号： | H01R13/02;H01R31/06;G11C29/56 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司37100 | 代理人： | 李世喆 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种连接器、直插式DRAM颗粒、内存测试装置及方法，所述连接器包括：连接器本体和至少一个连接插针，其中，每一个所述连接插针包括插针本体、位于所述插针本体一端的动态随机存取存储器DRAM连接结构、位于所述插针本体另一端的焊盘连接结构；所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构具有导电特性；每一个所述连接器插针的插针本体穿透所述连接器本体，并使得所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构分别位于所述连接器本体的两侧；所述DRAM连接结构，用于通过两侧夹持的方式连接外部内存条上的DRAM颗粒；所述焊盘连接结构，用于通过插接的方式连接外部焊盘。本发明提供的方案能够针对内存条上每一个DRAM颗粒进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连接器 直插式 dram 颗粒 内存 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种连接器，其特征在于，包括：连接器本体、至少一个连接插针；每一个所述连接插针包括插针本体、位于所述插针本体一端的动态随机存取存储器DRAM连接结构、位于所述插针本体另一端的焊盘连接结构；所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构具有导电特性；每一个所述连接器插针的插针本体穿透所述连接器本体，并使得所述DRAM连接结构和所述焊盘连接结构分别位于所述连接器本体的两侧；所述DRAM连接结构，用于通过两侧夹持的方式连接外部内存条上的DRAM颗粒；所述焊盘连接结构，用于通过插接的方式连接外部焊盘。
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