[发明专利]一种流水线ADC系统中采样MOM电容的版图设计方法有效
| 申请号： | 201610634603.6 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106253904B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张其军;谭昭禹 | 申请（专利权）人： | 成都博思微科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 51218 成都金英专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 袁英<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种流水线ADC系统中采样MOM电容的版图设计方法，包括：根据前级放大器和后级采样开关的高度确定MOM采样阵列的高度；根据所述MOM采样阵列的高度确定MOM电容的高度；选取MOM电容的金属层数目；设置MOM电容的电容值，选取MOM电容的电容参数；根据前级放大器和后级采样开关的位置来确定MOM电容的输入端和输出端的金属走向。公开了的MOM电容的电容参数、电容高度、输入端和输出端的金属走向等的确定方法，使得MOM电容在工艺误差梯度的范围内失配率最小,从而满足ADC采样数据输入端与电容公共端之间的寄生电容值相等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 流水线 adc 系统 采样 mom 电容 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种流水线ADC系统中采样MOM电容的版图设计方法，其特征在于，包括：/n根据前级放大器和后级采样开关的高度确定MOM采样阵列的高度；/n根据所述MOM采样阵列的高度确定MOM电容的高度；/n选取MOM电容的金属层数目；/n设置MOM电容的电容值，选取MOM电容的电容参数；/n根据前级放大器和后级采样开关的位置来确定MOM电容的输入端和输出端的金属走向；/n所述MOM电容的电容参数的选取方法为：/n根据MOM电容参数模型，列举多组金属条数目不同、电容起始金属层次和电容结束金属层次不同、金属条间距不同的电容参数组合，任意两组电容参数对应的MOM电容的电容值之差小于阈值，选取使得MOM电容内部两端金属线形成的电感、MOM电容的输入端和输出端的金属电阻、MOM电容的输入端和输出端对电容屏蔽层的寄生电容的值最小的一组电容参数；/nMOM电容阵列的四周布满虚拟电容；/n所述MOM电容的电容参数包括水平方向金属条数目、垂直方向金属条数目、 金属条间距、金属条宽度、电容起始金属层次和电容结束金属层次；/n所述水平方向金属条数目和垂直方向金属条数目均为偶数；/n确定各MOM电容的输入端和输出端的金属走向时，输入端走向层次的金属层次和输出端走向层次的金属层次对称，输入端的打孔数目和输出端的打孔数目对称。/n
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