[发明专利]一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法有效

专利信息
申请号: 201610634740.X 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN106250641B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 许凯;彭锐;叶志杰;胡月 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 周娟
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法,涉及显示技术领域,以判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析装置通过获取OLED器件老化前后,第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度;根据OLED器件老化前后,第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化前后发光亮度差值函数,并对该函数进行积分,对比老化前后积分结果,根据对比结构判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析方法包括上述OLED器件衰减分析装置。该OLED器件衰减分析装置用于OLED器件衰减分析。
搜索关键词: 一种 oled 器件 衰减 分析 装置 方法
【主权项】:
1.一种OLED器件衰减分析装置,其特征在于,包括依次连接的差值函数构建单元、积分单元、比较单元和判定单元;所述差值函数构建单元用于根据OLED器件老化前,第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化前发光亮度差值函数f1(x);根据OLED器件老化后,第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值,构建老化后发光亮度差值函数f2(x);其中,第一发光约束条件为单重约束环境,所述单重约束环境为可变磁场环境,第二发光约束条件为双重约束环境,所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境,x为磁场强度;所述积分单元用于在可变磁场环境对应的磁场强度范围内,对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分,得到老化前积分结果Ena,对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分,得到老化后积分结果Ea;所述比较单元用于比较的大小关系;其中,Lna为非发光约束条件下,老化前OLED器件的发光亮度,La为非发光约束条件下,老化后OLED器件的发光亮度;所述判定单元用于根据的大小关系比较结果,判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610634740.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top